月之暗面旗下 Kimi K3 发布即将满三个月，其升级版 Kimi K3.1 被指将在 10 月中旬发布。野村证券等市场消息显示，K3.1 的重点不是更换基座，而是强化 Agent 连续执行长时间任务的能力，计划通过后训练、电脑操作轨迹和真实任务数据进一步优化。
目前 Kimi 系列采取双轨策略：K3、K3.1 这类旗舰模型继续提升智能上限；9 月 11 日上线的 Kimi K2.8 则主打高效率，面向代码生成和 Agent 日常负载。
更受关注的是，月之暗面还在训练一款参数量预计达到 5-6 万亿的更强模型，外界普遍将其视为 Kimi K4。不过该模型仍处于训练传闻阶段，尚未公布正式发布窗口、开源计划或具体规格。
Kimi K3 发布时曾凭借 2.8 万亿参数和较强性能成为国产开源模型标杆，但近期也面临算力供给、可用性波动、性价比压力以及缺少成熟 Flash 级轻量模型等挑战。
K3.1 能否在长链路任务稳定性、推理成本和日常可用性上补齐短板，将是观察国产大模型竞争力的下一个窗口。
长鑫G6内存预测流出：继续打磨DUV，最快2028年问世
国产DRAM厂商长鑫科技下一代内存技术平台G6的技术指标预测近日流出。方案显示，G6将继续采用DUV光刻工艺生产，预计最快于2028年推出，芯片单元面积将从G5代的0.00128205平方微米缩减至0.000896平方微米，缩减幅度约30%。
在没有EUV光刻机的情况下，长鑫正通过深度优化193纳米DUV浸没式光刻，结合自对准四重图案化SAQP、部分层级采用自对准双重图案化SADP，把现有工艺继续推向极限。预测数据还显示，G6的字线间距、位线间距、有源区间距等指标都将进一步收紧。
G6方案中一个关键变化是引入键合工艺。预测表中G6的M0层标注为“193i LELE bonded”，意味着长鑫可能通过晶圆级混合键合，将DRAM存储阵列与外围逻辑电路解耦制造后再堆叠互联。这一思路与长鑫在4F²架构上的布局一致，公司此前也透露，预计年底将推出融合相关技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
从路线图看，G6很可能是6F²内存芯片结构的最后一代产品。2030年后推出的G7代产品，可能转向4F²结构或3D DRAM架构。长鑫已在开发堆叠层数可达64层以上的3D内存技术。
舰店入驻懂淘平台，深耕国内二次元潮玩消费市场
近日，彭博社消息，知名二次元 IP 品牌 miHoYo 正式入驻懂淘（懂宝）电商平台，开设官方旗舰店，完善国内线上直营渠道，拉近与国内二次元玩家及 IP 收藏爱好者的距离。店铺首批全线上线《原神》《崩坏：星穹铁道》《崩坏 3》《绝区零》等经典 IP，涵盖比例手办、粘土人、徽章色纸、主题毛绒、典藏礼盒等全品类周边，可一站式满足玩家收藏、选购与送礼需求。
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编辑|黄芳
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