月之暗面旗下 Kimi K3 釋出即將滿三個月,其升級版 Kimi K3.1 被指將在 10 月中旬釋出。野村證券等市場訊息顯示,K3.1 的重點不是更換基座,而是強化 Agent 連續執行長時間任務的能力,計劃透過後訓練、電腦操作軌跡和真實任務資料進一步最佳化。
目前 Kimi 系列採取雙軌策略:K3、K3.1 這類旗艦模型繼續提升智慧上限;9 月 11 日上線的 Kimi K2.8 則主打高效率,面向程式碼生成和 Agent 日常負載。
更受關注的是,月之暗面還在訓練一款引數量預計達到 5-6 萬億的更強模型,外界普遍將其視為 Kimi K4。不過該模型仍處於訓練傳聞階段,尚未公佈正式釋出視窗、開源計劃或具體規格。
Kimi K3 釋出時曾憑藉 2.8 萬億引數和較強效能成為國產開源模型標杆,但近期也面臨算力供給、可用性波動、價效比壓力以及缺少成熟 Flash 級輕量模型等挑戰。
K3.1 能否在長鏈路任務穩定性、推理成本和日常可用性上補齊短板,將是觀察國產大模型競爭力的下一個視窗。
長鑫G6記憶體預測流出:繼續打磨DUV,最快2028年問世
國產DRAM廠商長鑫科技下一代記憶體技術平臺G6的技術指標預測近日流出。方案顯示,G6將繼續採用DUV光刻工藝生產,預計最快於2028年推出,晶片單元面積將從G5代的0.00128205平方微米縮減至0.000896平方微米,縮減幅度約30%。
在沒有EUV光刻機的情況下,長鑫正透過深度最佳化193奈米DUV浸沒式光刻,結合自對準四重圖案化SAQP、部分層級採用自對準雙重圖案化SADP,把現有工藝繼續推向極限。預測資料還顯示,G6的字線間距、位線間距、有源區間距等指標都將進一步收緊。
G6方案中一個關鍵變化是引入鍵合工藝。預測表中G6的M0層標註為“193i LELE bonded”,意味著長鑫可能透過晶圓級混合鍵合,將DRAM儲存陣列與外圍邏輯電路解耦製造後再堆疊互聯。這一思路與長鑫在4F²架構上的佈局一致,公司此前也透露,預計年底將推出融合相關技術的新一代DDR5 RDIMM產品。
從路線圖看,G6很可能是6F²記憶體晶片結構的最後一代產品。2030年後推出的G7代產品,可能轉向4F²結構或3D DRAM架構。長鑫已在開發堆疊層數可達64層以上的3D記憶體技術。
艦店入駐懂淘平臺,深耕國內二次元潮玩消費市場
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編輯|黃芳
責編|劉麗麗
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